книга DipMaster-Shop.RU
поиск
карта
почта
Главная На заказ Готовые работы Способы оплаты Партнерство Контакты F.A.Q. Поиск
Холодильная техника и технология. Вариант 4 ( Контрольная работа, 18 стр. )
Холодная сварка чугуна плавящимся электродом с помощью шпилек ( Контрольная работа, 8 стр. )
Хореография как социальное явление ( Курсовая работа, 31 стр. )
Художественные стили мировой культуры: XVIII век. Информационная выразительность формы: сущность, значимость в экспертизе эстетических свойств 2005-12 ( Контрольная работа, 12 стр. )
Художественные стили мировой культуры: XVIII век. Информационная выразительность формы: сущность, значимость в экспертизе эстетических свойств ( Контрольная работа, 12 стр. )
Художественный Париж ( Реферат, 10 стр. )
Художнє життя суспільства (Украина) ( Реферат, 15 стр. )
Царское Село ( Курсовая работа, 56 стр. )
Царскосельский лицей ( Курсовая работа, 33 стр. )
Цветовой тип внешности. Характеристика типа внешности Весна ( Реферат, 16 стр. )
Цветовой тип внешности ( Реферат, 14 стр. )
Ценностно-правовые основы профессиональной деятельности ( Доклад, 25 стр. )
Централизованная модель государственных закупок ( Реферат, 20 стр. )
ЦЕРКВИ ЮЖНОГО УРАЛА ( Курсовая работа, 33 стр. )
Церковные реформы Петра I ( Реферат, 17 стр. )
Цикл видеопроизводства 14 ( Дипломная работа, 70 стр. )
Цифро-аналоговые и аналого-цифровые преобразователи ( Реферат, 20 стр. )
Цифровые наличные ( Контрольная работа, 12 стр. )
Чай ( Курсовая работа, 47 стр. )
Человек и биосфера. Концепция устойчивого развития по материалам конференции в Рио-де-Жанейро в 1992 году ( Реферат, 10 стр. )
Челябинский камерный театр ( Курсовая работа, 31 стр. )
Чем отличается реальная жидкость от идеальной? Основное уравнение гидростатики. Принцип работы водомера Вентури и водоструйного насоса ( Контрольная работа, 18 стр. )
Чернобыльская катастрофа ( Реферат, 15 стр. )
Четырехразрядный сдвиговый регистр. Вар. 17 ( Контрольная работа, 14 стр. )
Чиновничество - основа российского государственного управления ( Дипломная работа, 84 стр. )

Введение 1

Описание схемы для разработки 2

Определение электрических параметров элементов схемы 3

Технологические этапы изготовления ИМС 4

Последовательность расчета параметров биполярного транзистора 10

Последовательность расчета параметров интегральных резисторов 13

Последовательность расчета МДП-конденсатора 19

Особенности топологии разрабатываемой ИМС 21

Выводы 21

Библиографический список 22

Интегральная электроника на сегодняшний день является одной из наиболее бурно развивающихся отраслей современной промышленности. Значимой составной частью данной науки является схемотехническая микроэлектроника. На каждом новом этапе развития технологии производства интегральных микросхем (ИМС) создаются принципиально новые методы изготовления структур ИМС, отражающие последние достижения науки.

В настоящее время наибольшее внимание в микроэлектронике уделяется созданию СБИС — сверхбольших интегральных схем — интегральных структур с очень большой степенью интеграции элементов, что позволяет не только значительно уменьшить площадь подложки ИМС, а следовательно, габаритные размеры и потребляемую мощность, но также и значительно расширить перечень функций, которые данная СБИС способна выполнять.

В частности, использование СБИС в вычислительной технике позволило создание высокопроизводительных микропроцессоров электронно-вычислительных машин, а также встраиваемых однокристальных микроконтроллеров, объединяющих на одном кристалле несколько взаимосвязанных узлов вычислительного комплекса.

Переход к использованию СБИС сопряжен со значительным увеличением числа элементов ИМС на одной подложке, а также с существенным уменьшением геометрических размеров элементов ИМС. В настоящее время технология позволяет изготовление отдельных элементов ИМС с геометрическими размерами порядка 0,15 – 0,18 мкм.

Быстрое развитие микроэлектроники как одной из самых обширных областей промышленности обусловлено следующими факторами:

1. Надежность — комплексное свойство, которое в зависимости от назначения изделия и условий его эксплуатации может включать безотказность, долговечность, ремонтопригодность и сохраняемость в отдельности или определенное сочетание этих свойств как изделий в целом, так и его частей. Надежность работы ИМС обусловлена монолитностью их структуры, а также защищенностью интегральных структур от внешних воздействий с помощью герметичных корпусов, в которых, как правило, выпускаются серийные ИМС.

2. Снижение габаритов и массы. Значительное уменьшение массы и размеров конкретных радиоэлектронных приборов без потери качества работы также является одним из решающих факторов при выборе ИМС при разработке различных приборов и узлов радиоэлектронной аппаратуры.

1. Калниболотский Ю. М. и др. Расчет и конструирование микросхем. — Киев: Высшая школа, 1983.

2. Конструирование и технология микросхем. Под ред. Коледова Л. А. — М.: Высшая школа, 1984.

3. Методичні вказівки до виконання розрахункових робіт на ЕОМ з курсу "Мікроелектроника та функціональна електроніка". ч.1,2. — Київ: КПІ, 1993.

Примечаний нет.

2000-2024 © Copyright «DipMaster-Shop.ru»