|
Введение 8
1 Аналитический обзор литературы 9
1.1 Физические основы полупроводниковых приборов 9
1.1.1 Полупроводниковые материалы 9
1.1.2 Электронно-дырочный переход 13
1.1.3 Барьерная (зарядная) и диффузионная емкость p-n-перехода 19
1.2 Изменение параметров полупроводниковых материалов при облучении, создающем точечные дефекты 19
1.2.1 Изменение концентрации основных носителей заряда в кремнии n-типа при облучении 19
1.2.2 Влияние облучения на концентрацию свободных носителей в кремнии p-типа 25
1.2.3 Влияние облучения на подвижность свободных носителей заряда в кремнии 25
1.2.4. Влияние облучения на время жизни неравновесных носителей заряда 28
1.3 Процессы при электронном облучении 31
1.3.1 Краткая характеристика взаимодействия излучения с веществом 31
1.3.2 Взаимодействие электронов с веществом 32
1.3.3 Первичные эффекты при облучении полупроводников 34
1.4 Влияние проникающей радиации на свойства p-n-перехода 39
1.5 Физическая природа и механизмы возникновения радиационных дефектов в кремнии 43
1.5.1 Распределение дефектов при различных видах облучения 43
1.5.2 Структурные комплексы в кремнии, образующиеся с участием вакансий 44
1.5.3 Структурные преобразования в облученном кремнии с участием междоузельных атомов 47
1.5.4 Проявление примеси 48
1.5.5 Аннигиляция вакансий и междоузолий и отжиг радиационных дефектов 48
1.6 Основные параметры исследуемых варикапов 49
1.6.1 Влияние облучения на удельное электросопротивление 50
1.7.1 Влияние облучения на время жизни неосновных носителей заряда 51
2 Экспериментальная часть 53
2.1 Основные параметры исследуемых варикапов 53
2.2 Описание объекта исследования 53
2.3 Линейный ускоритель электронов "Электроника" ЭЛУ-6 54
2.4 Измеритель параметров полупроводниковых приборов ИППП-1 59
2.5 Экспериментальные результаты и их анализ 63
2.6 Математическая модель 72
2.7 Выводы по экспериментальному разделу 73
3 Безопасность жизнедеятельности 74
3.1 Идентификация опасных и вредных производственных факторов 74
3.2 Характеристика используемых веществ и материалов 75
3.3 Санитарно-технические требования 75
3.3.1 Требования к планировке помещения 75
3.3.2 Требования к микроклимату помещения 76
3.3.3 Требования к освещению лаборатории 77
3.3.4 Требования безопасности при устройстве и эксплуатации коммуникаций 79
3.4 Разработка мер защиты от опасных и вредных производственных факторов 80
3.5 Безопасность жизнедеятельности в чрезвычайных ситуациях 81
3.6 Расчёт защиты от ионизирующего излучения 83
3.7 Выводы по безопасности жизнедеятельности 86
4 Охрана окружающей среды 88
4.1 Экологическая оценка компьютера, как объекта загрязнения окружающей природной среды 88
4.2 Выводы по охране окружающей природной среды 90
5 Экономическая часть 91
5.1 Технико-экономическое обоснование дипломной работы 91
5.2 Расчет сметы затрат на выполнение НИР 92
5.2.1 Расчет основной и дополнительной заработной платы исполнителей 92
5.2.2 Расчет затрат на сырье, материалы и полуфабрикаты 93
5.2.3 Расчет энергетических затрат 94
5.2.4 Расчет затрат, связанных с использованием оборудования и приборов 96
5.2.5 Расчет накладных расходов 97
5.2.6 Расчет суммарных затрат на выполнение работы 97
5.3 Технико-экономическая оценка результатов работы 97
5.4 Выводы по экономической части 98
Выводы 100
Список использованных источников 101
|
На уровень вверх
Купить