книга DipMaster-Shop.RU
поиск
карта
почта
Главная На заказ Готовые работы Способы оплаты Партнерство Контакты F.A.Q. Поиск
Теоретическое обоснование сущности постановки коучинга в организации ( Реферат, 25 стр. )
Теоретическое раскрытие понятий языкового сознания и билингвизма, а так же выявление степени влияния билингвизма на языковое сознание двуязычной личности ( Дипломная работа, 68 стр. )
Теоретическое рассмотрение вопроса применения Европейского языкового портфеля, как средство оценки и самооценки знаний по иностранным языкам ( Курсовая работа, 27 стр. )
Теории бюрократии в социально-экономической литературе ( Реферат, 24 стр. )
Теория Большого (Великого объединения) и Суперобъединения ( Реферат, 16 стр. )
Теория городского планирования. Екатеринбург: факторы развития, направления и проблемы роста. Стратегический план развития Екатеринбурга ( Реферат, 20 стр. )
Теория гравитации ( Реферат, 13 стр. )
Теория Механизмов и Машин ( Контрольная работа, 16 стр. )
Теория общественного выбора и бюрократия2 ( Курсовая работа, 34 стр. )
Теория относительности ( Реферат, 22 стр. )
Теория решения изобретательных задач. Вар. 27 ( Контрольная работа, 12 стр. )
Теория решения изобретательских задач ( Контрольная работа, 12 стр. )
Теория решения изобретения. ВАР 27 ( Контрольная работа, 13 стр. )
Теория решения изобретательских задач. Вариант №13 ( Контрольная работа, 12 стр. )
Теория социальной стратификации. Политическое лидерство ( Контрольная работа, 16 стр. )
Теория электрической связи ( Курсовая работа, 28 стр. )
Теория элит в сопоставлении с теорией стратификации ( Курсовая работа, 25 стр. )
Теория этногенеза ( Реферат, 14 стр. )
Теория этногенеза Л.Н. Гумилева ( Реферат, 14 стр. )
Теория этногенеза Л. Н. Гумилева ( Реферат, 13 стр. )
ТЕОРІЯ ПОХОДЖЕННЯ УКРАЇНСЬКОГО НАРОДУ (Украина) ( Отчет по практике, 21 стр. )
Тепловая модернизация жилого здания с реконструкцией участка внутриквартальной тепловой сети ( Курсовая работа, 44 стр. )
Тепловлажностный расчет наружных ограждений жилого пятиэтажного здания к климатических условиях г. Москвы ( Курсовая работа, 21 стр. )
Теплотехнический расчет ограждающих конструкций – наружная стена ( Контрольная работа, 16 стр. )
Теповые двигатели. Насосы и нагнетатели ( Контрольная работа, 15 стр. )

Введение 1

Описание схемы для разработки 2

Определение электрических параметров элементов схемы 3

Технологические этапы изготовления ИМС 4

Последовательность расчета параметров биполярного транзистора 10

Последовательность расчета параметров интегральных резисторов 13

Последовательность расчета МДП-конденсатора 19

Особенности топологии разрабатываемой ИМС 21

Выводы 21

Библиографический список 22

Интегральная электроника на сегодняшний день является одной из наиболее бурно развивающихся отраслей современной промышленности. Значимой составной частью данной науки является схемотехническая микроэлектроника. На каждом новом этапе развития технологии производства интегральных микросхем (ИМС) создаются принципиально новые методы изготовления структур ИМС, отражающие последние достижения науки.

В настоящее время наибольшее внимание в микроэлектронике уделяется созданию СБИС — сверхбольших интегральных схем — интегральных структур с очень большой степенью интеграции элементов, что позволяет не только значительно уменьшить площадь подложки ИМС, а следовательно, габаритные размеры и потребляемую мощность, но также и значительно расширить перечень функций, которые данная СБИС способна выполнять.

В частности, использование СБИС в вычислительной технике позволило создание высокопроизводительных микропроцессоров электронно-вычислительных машин, а также встраиваемых однокристальных микроконтроллеров, объединяющих на одном кристалле несколько взаимосвязанных узлов вычислительного комплекса.

Переход к использованию СБИС сопряжен со значительным увеличением числа элементов ИМС на одной подложке, а также с существенным уменьшением геометрических размеров элементов ИМС. В настоящее время технология позволяет изготовление отдельных элементов ИМС с геометрическими размерами порядка 0,15 – 0,18 мкм.

Быстрое развитие микроэлектроники как одной из самых обширных областей промышленности обусловлено следующими факторами:

1. Надежность — комплексное свойство, которое в зависимости от назначения изделия и условий его эксплуатации может включать безотказность, долговечность, ремонтопригодность и сохраняемость в отдельности или определенное сочетание этих свойств как изделий в целом, так и его частей. Надежность работы ИМС обусловлена монолитностью их структуры, а также защищенностью интегральных структур от внешних воздействий с помощью герметичных корпусов, в которых, как правило, выпускаются серийные ИМС.

2. Снижение габаритов и массы. Значительное уменьшение массы и размеров конкретных радиоэлектронных приборов без потери качества работы также является одним из решающих факторов при выборе ИМС при разработке различных приборов и узлов радиоэлектронной аппаратуры.

1. Калниболотский Ю. М. и др. Расчет и конструирование микросхем. — Киев: Высшая школа, 1983.

2. Конструирование и технология микросхем. Под ред. Коледова Л. А. — М.: Высшая школа, 1984.

3. Методичні вказівки до виконання розрахункових робіт на ЕОМ з курсу "Мікроелектроника та функціональна електроніка". ч.1,2. — Київ: КПІ, 1993.

Примечаний нет.

2000-2024 © Copyright «DipMaster-Shop.ru»