книга DipMaster-Shop.RU
поиск
карта
почта
Главная На заказ Готовые работы Способы оплаты Партнерство Контакты F.A.Q. Поиск
ТВОРЧЕСКОЕ НАСЛЕДИЕ Д. А. МИЛЮТИНА ( Реферат, 23 стр. )
ТВОРЧЕСКОЕ НАСЛЕДИЕ Д. А. МИЛЮТИНА 2008-23 ( Реферат, 23 стр. )
ТВОРЧЕСТВО А. ГАЛИЧА ( Реферат, 15 стр. )
Творчество и жизнь Джотте ( Реферат, 25 стр. )
Творчество как основа инженерного проектирования ( Реферат, 15 стр. )
Творчество Микеланджело ( Реферат, 16 стр. )
Театр древних Майя ( Реферат, 11 стр. )
Театр им. М. Горького (МХАТ) ( Дипломная работа, 72 стр. )
ТЕАТРАЛИЗАЦИЯ РЕЧИ У ДЕТЕЙ ДОШКОЛЬНОГО ВОЗРАСТА И ЕЕ ДИАГНОСТИКА ( Курсовая работа, 44 стр. )
Театры в Древней Греции, Риме и Средневековье ( Реферат, 26 стр. )
Телевизионное продюсирование и тенденции его развития в современных условиях ( Диссертация, 152 стр. )
Телесериал Солдаты, продюсерский проект компании ЛЕАН-М ( Дипломная работа, 93 стр. )
Телесно-ориентированная психотерапия ( Реферат, 8 стр. )
Телефаксы как средство управленческих коммуникаций ( Реферат, 19 стр. )
Тема 10. СИСТЕМЫ ПОДДЕРЖКИ ПРИНЯТИЯ УПРАВЛЕНЧЕСКОГО РЕШЕНИЯ ( Контрольная работа, 43 стр. )
Температурная чувствительность. Поведенческая терморегуляция ( Реферат, 22 стр. )
Темпы полового развития и биологически обусловленная продолжительность жизни ( Реферат, 11 стр. )
ТЕНДЕНЦИИ ИЗМЕНЕНИЯ ЭЛЕКТОРАЛЬНЫХ ПРЕДПОЧТЕНИЙ ОСНОВНЫХ СОЦИОКУЛЬТУРНЫХ ГРУПП РОССИЙСКОГО ОБЩЕСТВА ( Курсовая работа, 29 стр. )
Тенденции развития Тюменской области ( Курсовая работа, 37 стр. )
Теоретические аспекты формирования портфеля клиентов ( Дипломная работа, 14 стр. )
Теоретические взгляды на проблему национализма ( Реферат, 22 стр. )
Теоретические основы проблемы отношения к смерти неизлечимо больных в экзистенциальной психотерапии ( Курсовая работа, 24 стр. )
Теоретические основы территориальной организации населения. Современный этап развития городского населения ( Реферат, 10 стр. )
Теоретический анализ реинжиниринга бизнес- процессов ( Реферат, 23 стр. )
Теоретический обзор литературы в мировой и российской практике права, обзор законодательства в мировой и российской практике права, по вопросам договора концессии (франчайзинга) ( Отчет по практике, 20 стр. )

Введение 1

Описание схемы для разработки 2

Определение электрических параметров элементов схемы 3

Технологические этапы изготовления ИМС 4

Последовательность расчета параметров биполярного транзистора 10

Последовательность расчета параметров интегральных резисторов 13

Последовательность расчета МДП-конденсатора 19

Особенности топологии разрабатываемой ИМС 21

Выводы 21

Библиографический список 22

Интегральная электроника на сегодняшний день является одной из наиболее бурно развивающихся отраслей современной промышленности. Значимой составной частью данной науки является схемотехническая микроэлектроника. На каждом новом этапе развития технологии производства интегральных микросхем (ИМС) создаются принципиально новые методы изготовления структур ИМС, отражающие последние достижения науки.

В настоящее время наибольшее внимание в микроэлектронике уделяется созданию СБИС — сверхбольших интегральных схем — интегральных структур с очень большой степенью интеграции элементов, что позволяет не только значительно уменьшить площадь подложки ИМС, а следовательно, габаритные размеры и потребляемую мощность, но также и значительно расширить перечень функций, которые данная СБИС способна выполнять.

В частности, использование СБИС в вычислительной технике позволило создание высокопроизводительных микропроцессоров электронно-вычислительных машин, а также встраиваемых однокристальных микроконтроллеров, объединяющих на одном кристалле несколько взаимосвязанных узлов вычислительного комплекса.

Переход к использованию СБИС сопряжен со значительным увеличением числа элементов ИМС на одной подложке, а также с существенным уменьшением геометрических размеров элементов ИМС. В настоящее время технология позволяет изготовление отдельных элементов ИМС с геометрическими размерами порядка 0,15 – 0,18 мкм.

Быстрое развитие микроэлектроники как одной из самых обширных областей промышленности обусловлено следующими факторами:

1. Надежность — комплексное свойство, которое в зависимости от назначения изделия и условий его эксплуатации может включать безотказность, долговечность, ремонтопригодность и сохраняемость в отдельности или определенное сочетание этих свойств как изделий в целом, так и его частей. Надежность работы ИМС обусловлена монолитностью их структуры, а также защищенностью интегральных структур от внешних воздействий с помощью герметичных корпусов, в которых, как правило, выпускаются серийные ИМС.

2. Снижение габаритов и массы. Значительное уменьшение массы и размеров конкретных радиоэлектронных приборов без потери качества работы также является одним из решающих факторов при выборе ИМС при разработке различных приборов и узлов радиоэлектронной аппаратуры.

1. Калниболотский Ю. М. и др. Расчет и конструирование микросхем. — Киев: Высшая школа, 1983.

2. Конструирование и технология микросхем. Под ред. Коледова Л. А. — М.: Высшая школа, 1984.

3. Методичні вказівки до виконання розрахункових робіт на ЕОМ з курсу "Мікроелектроника та функціональна електроніка". ч.1,2. — Київ: КПІ, 1993.

Примечаний нет.

2000-2024 © Copyright «DipMaster-Shop.ru»