Тип: Реферат |
Цена: 450 р. |
Страниц: 9 |
Формат: doc |
Год: 2012 |
 Купить
Данная работа была успешно защищена, продается в таком виде, как есть. Изменения, а также индивидуальное исполнение возможны за дополнительную плату. Если качество купленной готовой работы с сайта не соответствует заявленному, мы ВЕРНЕМ ВАМ ДЕНЬГИ или ОБМЕНЯЕМ на другую готовую работу. Данная гарантия действует в течение 48 часов после покупки работы. Вы можете получить её по электронной почте (отправляется сразу после подтверждения оплаты в течение 3-х часов, в нерабочее время возможно увеличение интервала). Для получения нажмите кнопку «купить» выше.
Также работу можно получить в московском офисе, либо курьером в любом крупном городе России (стоимость услуги 600 руб.). Желаете просмотреть часть работы? Обращайтесь: ICQ 15555116, Skype dip-master, E-mail info @ dipmaster-shop.ru. Звоните: (495) 972-80-33, (495) 972-81-08, (495) 518-51-63, (495) 971-07-29, (495) 518-52-11, (495) 971-76-12, (495) 979-43-28.
|
Содержание
|
|
Содержание 2
Биографичекие данные 3
Основные открытия 4
Список литературы 9
|
|
Введение
|
|
Алферов Жорес Иванович (родился 15 марта 1930).
Академик Алферов один из крупнейших российских ученых в области физики и техники полупроводников, его работы получили широкую известность и мировое признание, вошли в учебники и монографии, вице-президент Российской Академии наук, председатель президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН, директор Физико-технического института им. Йоффе, депутат Государственной думы России, лауреат Нобелевской премии
Исследования по физике полупроводников Ж.Алферов начал еще студентом третьего курса, на кафедре физики вакуума ЛЭТИ. В Физико-техническом институте участвовал в создании первых советских транзисторов, диодов, фотодиодов и мощных выпрямителей. В этой работе ярко проявились характеризующие всю его научную деятельность черты глубокое проникновение в физику изучаемых процессов и блестящее умение приложить полученные результаты к решению конкретных задач. Академик Алферов открыл явление сверх-инжекции в гетероструктурах и показал, что в полупроводниковых гетероструктурах можно принципиально по-новому управлять электронными и световыми потоками. Проводимые под его руководством исследования гетеропереходов в полупроводниках обеспечили нашей стране ведущее положение в мире в новом перспективном направлении физики и техники полупроводников.
В 1972 году за фундаментальные исследования гетеропереходов в полупроводниках академик Алферов был удостоен Ленинской премии, а в 1984 Государственной премии СССР в области науки и техники. В 2000 г. Алфёров удостоен Нобелевской премии за работы по получениюполупроводниковых структур, которые могут быть использованы для сверхбыстрых компьютеров.
|
|
Список литературы
|
|
1. Ильин А.С. "Жорес Алферов-лауреат Нобелевской преии" Российская газета. 24.11.2003.
2. Комаров Д.В. Физика сегодня.//Наука и жизнь.№1.2003.
3. www.galezoteric-narod.ru
|
|
Примечания:
|
|
Примечаний нет.
|
|
На уровень вверх