книга DipMaster-Shop.RU
поиск
карта
почта
Главная На заказ Готовые работы Способы оплаты Партнерство Контакты F.A.Q. Поиск
Функции территориального органа Министерства Российской Федерации ( Реферат, 16 стр. )
Функции, задачи и направления деятельности службы безопасности ( Реферат, 15 стр. )
Функциональная специализация полушарий и опознание речевых и неречевых сигналов ( Реферат, 21 стр. )
Функциональная электроника и микроэлектроника ( Контрольная работа, 20 стр. )
Фьючерсные сделки и их место на биржах России. ( Реферат, 19 стр. )
Характеристика двухфазного и однофазного короткого замыкания ( Контрольная работа, 33 стр. )
Характеристика жилищного фонда и уровня жилищного обеспечения населения 4 ( Дипломная работа, 78 стр. )
Характеристика изделия 9C467-2 ( Контрольная работа, 19 стр. )
Характеристика изделия 9C467-2 ( Контрольная работа, 32 стр. )
Характеристика кремния, а также возможности его применения в авиации ( Реферат, 22 стр. )
Характеристика кремния, а также возможности его применения в авиации ( Реферат, 23 стр. )
ХАРАКТЕРИСТИКА КРУПЯНОГО СЫРЬЯ И АССОРТИМЕНТ КРУПЫ. СТРУКТУРНАЯ СХЕМА ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА ( Реферат, 20 стр. )
Характеристика марийцев ( Реферат, 14 стр. )
Характеристика правового режима государственных внебюджетных фондов ( Реферат, 18 стр. )
Характеристика продукционно-деструкционных процессов в озерах на примере Архангельского региона ( Реферат, 11 стр. )
Характеристика процессов миграции квалифицированных специалистов и ученых из России ( Курсовая работа, 32 стр. )
Характеристика социальной политики организации ( Курсовая работа, 38 стр. )
Характеристика срочных сделок. Нормативно-правовое регулирование срочных сделок на валютном рынке ( Контрольная работа, 23 стр. )
Характеристика супов итальянской кухни ( Контрольная работа, 11 стр. )
Характерные особенности слияний и поглощений в России ( Реферат, 15 стр. )
Характерные черты глобализации, проблемы и противоречия, наметившиеся в мировом сообществе на современном этапе ( Реферат, 18 стр. )
Химико-фармацевтический анализ в условиях аптек по нормативной документации и обзором методов анализа «Химико-фармацевтического журнала» и журнала «Фармация» за 2003-2010 гг. ( Курсовая работа, 24 стр. )
Химическая катастрофа в Севесо (Италия) ( Реферат, 12 стр. )
Химкомбинат "Маяк"- прошлое. настоящее и будущее ( Реферат, 23 стр. )
Хозяйственное право - закон об электроной подписи ( Контрольная работа, 18 стр. )

Введение 1

Описание схемы для разработки 2

Определение электрических параметров элементов схемы 3

Технологические этапы изготовления ИМС 4

Последовательность расчета параметров биполярного транзистора 10

Последовательность расчета параметров интегральных резисторов 13

Последовательность расчета МДП-конденсатора 19

Особенности топологии разрабатываемой ИМС 21

Выводы 21

Библиографический список 22

Интегральная электроника на сегодняшний день является одной из наиболее бурно развивающихся отраслей современной промышленности. Значимой составной частью данной науки является схемотехническая микроэлектроника. На каждом новом этапе развития технологии производства интегральных микросхем (ИМС) создаются принципиально новые методы изготовления структур ИМС, отражающие последние достижения науки.

В настоящее время наибольшее внимание в микроэлектронике уделяется созданию СБИС — сверхбольших интегральных схем — интегральных структур с очень большой степенью интеграции элементов, что позволяет не только значительно уменьшить площадь подложки ИМС, а следовательно, габаритные размеры и потребляемую мощность, но также и значительно расширить перечень функций, которые данная СБИС способна выполнять.

В частности, использование СБИС в вычислительной технике позволило создание высокопроизводительных микропроцессоров электронно-вычислительных машин, а также встраиваемых однокристальных микроконтроллеров, объединяющих на одном кристалле несколько взаимосвязанных узлов вычислительного комплекса.

Переход к использованию СБИС сопряжен со значительным увеличением числа элементов ИМС на одной подложке, а также с существенным уменьшением геометрических размеров элементов ИМС. В настоящее время технология позволяет изготовление отдельных элементов ИМС с геометрическими размерами порядка 0,15 – 0,18 мкм.

Быстрое развитие микроэлектроники как одной из самых обширных областей промышленности обусловлено следующими факторами:

1. Надежность — комплексное свойство, которое в зависимости от назначения изделия и условий его эксплуатации может включать безотказность, долговечность, ремонтопригодность и сохраняемость в отдельности или определенное сочетание этих свойств как изделий в целом, так и его частей. Надежность работы ИМС обусловлена монолитностью их структуры, а также защищенностью интегральных структур от внешних воздействий с помощью герметичных корпусов, в которых, как правило, выпускаются серийные ИМС.

2. Снижение габаритов и массы. Значительное уменьшение массы и размеров конкретных радиоэлектронных приборов без потери качества работы также является одним из решающих факторов при выборе ИМС при разработке различных приборов и узлов радиоэлектронной аппаратуры.

1. Калниболотский Ю. М. и др. Расчет и конструирование микросхем. — Киев: Высшая школа, 1983.

2. Конструирование и технология микросхем. Под ред. Коледова Л. А. — М.: Высшая школа, 1984.

3. Методичні вказівки до виконання розрахункових робіт на ЕОМ з курсу "Мікроелектроника та функціональна електроніка". ч.1,2. — Київ: КПІ, 1993.

Примечаний нет.

2000-2024 © Copyright «DipMaster-Shop.ru»