книга DipMaster-Shop.RU
поиск
карта
почта
Главная На заказ Готовые работы Способы оплаты Партнерство Контакты F.A.Q. Поиск
Управление временем ( Контрольная работа, 25 стр. )
Управление жидкокристаллическим индикатором WH0802(Hitachi) с помощью однокристального AVR микроконтроллера(ATMEL) ( Контрольная работа, 13 стр. )
Управление институтами системы образования ( Реферат, 15 стр. )
Управление карьерой_645. ( Дипломная работа, 59 стр. )
Управление ОГУП на примере Комитета по промышленности Администрации Челябинской области ( Реферат, 16 стр. )
УПРАВЛЕНИЕ ОТХОДАМИ ПРОИЗВОДСТВА И ОТХОДАМИ ПОТРЕБЛЕНИЯ В РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ( Реферат, 14 стр. )
Управление социальной сферой ( Реферат, 15 стр. )
Управление средним специальным учебным заведением. Кто несет ответственность за нарушение прав и свобод обучающихся в образовательном учреждении? ( Контрольная работа, 7 стр. )
Урегулирование грузино-абхазского конфликта: роль европейских организаций. Роль ООН в урегулировании грузино-абхазского конфликта ( Дипломная работа, 66 стр. )
Уровни урбанизации в мире ( Реферат, 15 стр. )
Усиленный капитальный и капитальный ремонт пути ( Контрольная работа, 17 стр. )
Условия труда и социальная защита государственных служащих органов юстиции ( Реферат, 14 стр. )
Услуги связи ( Реферат, 21 стр. )
Установить какие дела подлежат рассмотрению Верховным Судом РФ, а также военным гарнизонным судом, исследовать правовой статус Пленума Верховного Суда РФ, а также определить значение его постановлений ( Контрольная работа, 12 стр. )
Устная, публичная, художественная речь ( Реферат, 12 стр. )
Устойчивость линейной системы по критерию Гурвица. Определение с помощью критерия Гурвица устойчивость САУ ( Контрольная работа, 6 стр. )
Устойчивые глагольно-именные словосочетания в немецком языке ( Курсовая работа, 15 стр. )
Устройство и работа нитеуловителя ткацкого станка СТБ-2-175 ( Реферат, 10 стр. )
Устройство и работа преобразователя. Обеспечение взрывозащищенности преобразователя ( Контрольная работа, 28 стр. )
Устройство и ремонт бытового холодильника Полюс-10 КШ-260 ( Курсовая работа, 44 стр. )
Устройство ламп накаливания. Виды ламп накаливания ( Реферат, 9 стр. )
Уход и лечение жирной кожи ( Реферат, 20 стр. )
Участие Германии в системе Организации Объединенных Наций 2006-24 ( Курсовая работа, 24 стр. )
Участие Германии в системе Организации Объединенных Наций ( Реферат, 24 стр. )
Учение о ВНД и проблема мышления животных ( Реферат, 14 стр. )

Введение 1

Описание схемы для разработки 2

Определение электрических параметров элементов схемы 3

Технологические этапы изготовления ИМС 4

Последовательность расчета параметров биполярного транзистора 10

Последовательность расчета параметров интегральных резисторов 13

Последовательность расчета МДП-конденсатора 19

Особенности топологии разрабатываемой ИМС 21

Выводы 21

Библиографический список 22

Интегральная электроника на сегодняшний день является одной из наиболее бурно развивающихся отраслей современной промышленности. Значимой составной частью данной науки является схемотехническая микроэлектроника. На каждом новом этапе развития технологии производства интегральных микросхем (ИМС) создаются принципиально новые методы изготовления структур ИМС, отражающие последние достижения науки.

В настоящее время наибольшее внимание в микроэлектронике уделяется созданию СБИС — сверхбольших интегральных схем — интегральных структур с очень большой степенью интеграции элементов, что позволяет не только значительно уменьшить площадь подложки ИМС, а следовательно, габаритные размеры и потребляемую мощность, но также и значительно расширить перечень функций, которые данная СБИС способна выполнять.

В частности, использование СБИС в вычислительной технике позволило создание высокопроизводительных микропроцессоров электронно-вычислительных машин, а также встраиваемых однокристальных микроконтроллеров, объединяющих на одном кристалле несколько взаимосвязанных узлов вычислительного комплекса.

Переход к использованию СБИС сопряжен со значительным увеличением числа элементов ИМС на одной подложке, а также с существенным уменьшением геометрических размеров элементов ИМС. В настоящее время технология позволяет изготовление отдельных элементов ИМС с геометрическими размерами порядка 0,15 – 0,18 мкм.

Быстрое развитие микроэлектроники как одной из самых обширных областей промышленности обусловлено следующими факторами:

1. Надежность — комплексное свойство, которое в зависимости от назначения изделия и условий его эксплуатации может включать безотказность, долговечность, ремонтопригодность и сохраняемость в отдельности или определенное сочетание этих свойств как изделий в целом, так и его частей. Надежность работы ИМС обусловлена монолитностью их структуры, а также защищенностью интегральных структур от внешних воздействий с помощью герметичных корпусов, в которых, как правило, выпускаются серийные ИМС.

2. Снижение габаритов и массы. Значительное уменьшение массы и размеров конкретных радиоэлектронных приборов без потери качества работы также является одним из решающих факторов при выборе ИМС при разработке различных приборов и узлов радиоэлектронной аппаратуры.

1. Калниболотский Ю. М. и др. Расчет и конструирование микросхем. — Киев: Высшая школа, 1983.

2. Конструирование и технология микросхем. Под ред. Коледова Л. А. — М.: Высшая школа, 1984.

3. Методичні вказівки до виконання розрахункових робіт на ЕОМ з курсу "Мікроелектроника та функціональна електроніка". ч.1,2. — Київ: КПІ, 1993.

Примечаний нет.

2000-2024 © Copyright «DipMaster-Shop.ru»